Rumus kimia boron karbida B4C. Kristal hitam mengkilap dengan kepadatan relatif 2,52, titik leleh 2350 ℃, dan titik didih di atas 3500 ℃. Stabil dalam sifat kimia, tidak larut dalam air dan berbagai asam, dan larut dalam alkali cair. Kekerasannya lebih rendah dari intan tetapi lebih tinggi dari silikon karbida, dengan kekerasan Mohs 9,3. Memiliki kemampuan menangkap neutron termal yang tinggi, tahan aus, dan memiliki konduktivitas semikonduktor. Persyaratan umum mutu produk adalah kandungan B4C dalam partikel abrasif tidak boleh kurang dari 95%, dan kadar tenaga nuklir tidak boleh kurang dari 98%. Boron karbida banyak digunakan dalam proses penggilingan dan pemolesan batu permata karena kinerjanya yang sangat baik. Safir adalah bahan substrat paling ideal untuk aplikasi praktis seperti dioda pemancar cahaya (LED) semikonduktor GaN/Al2O3, SOI dan SOS sirkuit terpadu skala besar, dan film tipis berstrukturnano superkonduktor. Sebagai substrat LED, chip safir memerlukan tingkat kehalusan permukaan yang tinggi, yang harus sangat halus dan tidak rusak. Kualitas perangkat terutama bergantung pada teknologi pemrosesan permukaan substrat, dan penggilingan adalah penghubung utama dalam industri safir. Bahan abrasif yang berbeda memiliki dampak signifikan pada penggilingan safir dan pemolesan mekanis kimia. Saat ini, boron karbida sebagai bahan abrasif safir secara bertahap telah menggantikan bahan abrasif berlian, sehingga sangat mengurangi biaya proses penggilingan.
