炭化ホウ素の化学式 B4C。比重2.52、融点2350℃、沸点3500℃以上の光沢のある黒色の結晶。化学的性質が安定しており、水や各種酸に不溶、溶融アルカリに可溶です。硬度はダイヤモンドより低く、炭化ケイ素より高く、モース硬度は9.3です。熱中性子の捕捉能力が高く、耐摩耗性があり、半導体導電性を有します。製品品質の一般要件は、砥粒中の B4C 含有量が 95% 以上、原子力グレードの B4C 含有量が 98% 以上であることです。炭化ホウ素はその優れた性能により、宝石の研削および研磨プロセスに広く使用されています。サファイアは、半導体 GaN/Al2O3 発光ダイオード (LED)、大規模集積回路 SOI および SOS、超電導ナノ構造薄膜などの実用用途に最も理想的な基板材料です。 LED 基板として、サファイア チップには高レベルの表面平滑性が必要であり、非常に滑らかで損傷を受けていなければなりません。デバイスの品質は主に基板の表面処理技術に依存しており、サファイア産業では研削が重要な役割を果たしています。さまざまな研磨剤がサファイア研削と化学機械研磨に大きな影響を与えます。現在、サファイア砥粒としての炭化ホウ素が徐々にダイヤモンド砥粒に取って代わり、研削プロセスのコストが大幅に削減されています。
