실리콘 카바이드 기판

다양한 다운스트림 응용 분야에 따라 핵심 분류는 다음과 같습니다.

1) 전도성 유형: 쇼트키 다이오드, MOSFET, IGBT 등의 전력소자로 추가 가공이 가능하며, 신에너지 자동차, 철도 운송, 고전력 송변전 등의 분야에 적용 가능합니다.

2) 반절연형: 나아가 정보통신, 무선탐지 등 분야에 적용되는 HEMT 등의 마이크로파 및 무선주파수 소자 생산에 활용될 수 있다.

탄화규소 기판 준비는 기술 및 공정 집약적 산업에 속하며 핵심 공정 흐름은 다음과 같습니다.

1)원료합성은 고순도 규소분말과 탄소분말을 공식에 ​​따라 혼합한 후 반응챔버에서 2000℃ 이상의 고온에서 반응시켜 특정한 결정형태와 입자크기를 갖는 탄화규소 입자를 합성하는 공정입니다. 파쇄, 스크리닝, 세정 등의 공정을 거쳐 결정성장 요건을 충족하는 고순도 탄화규소 분말 원료를 생산합니다.

2) 결정 성장은 현재 시장의 주류 공정은 PVT 기상 수송 방식이다. 밀폐된 진공 성장 챔버에서 탄화규소 분말을 2300°C로 가열하여 반응 가스로 승화시킵니다. 이후 원자증착을 위해 종결정 표면으로 옮겨져 탄화규소 단결정으로 성장한다.

3) 결정 가공에는 주로 잉곳 가공, 잉곳 절단, 연삭, 연마, 세척 등의 공정이 포함되며 궁극적으로 탄화 규소 기판을 형성합니다.