Leave Your Message

Serpihan Silicon Carbide- Ultrathin Silicon Carbide

Serpihan silikon karbida dibuat dengan pensinteran tekanan panas dan tanpa tekanan bagi zarah karbida silikon. Mereka mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, pekali pengembangan terma yang sepadan dengan cip, ketumpatan rendah, ringan, kekerasan tinggi dan kekuatan lenturan yang tinggi.

    Maklumat produk

    Serpihan silikon karbida dibuat dengan pensinteran tekanan panas dan tanpa tekanan bagi zarah karbida silikon. Mereka mempunyai kekonduksian terma yang tinggi, pekali pengembangan terma yang sepadan dengan cip, ketumpatan rendah, ringan, kekerasan tinggi dan kekuatan lenturan yang tinggi.

    Kami boleh menyediakan bahan kepingan nipis dengan bentuk yang kompleks dan ketebalan yang berbeza, dan juga menyesuaikan produk mengikut keperluan.
    Proses SSIC sangat sesuai untuk menghasilkan komponen seramik SIC seperti pengedap, paip, kepingan nipis, sfera, dan kepingan kecil kerana kelebihan kecekapan pengeluaran yang tinggi, hasil yang tinggi dan volum pemprosesan yang rendah.

    Syarikat menggunakan bahan mentah SIC ketulenan tingginya sendiri dan menguji pelbagai penunjuk SSIC dengan ketat semasa proses pengeluaran untuk memastikan kualiti produk.

    Parameter Teknikal Produk

    Parameter Teknikal Produk
    Hartanah keadaan Unit Nilai Parameter
    Komponen Silikon Karbida % 99-99.99
    Ketumpatan pukal g/cm3 3.13-3.22
    Modulus Elastik Gpa ≥400
    Kekerasan Vickers Kg/mm² ≥2600
    Kekuatan Lentur (3 mata) 20 ℃ MPa ≥400
    Keliatan Patah MPa·m1/2 3.5-4.5
    Kekuatan mampatan 20 ℃ MPa ≥3500
    Suhu Maks. Applaction Di bawah suasana lengai 1800
    Pekali pengembangan haba K-1*10-6 4.43±0.1
    Kekonduksian terma W/ (m*k) 258±15

    Kelebihan Produk

    xq (4)0r9

    Kekuatan tinggi, ketumpatan tinggi, kekerasan hampir dengan berlian, dan tahan haus;
    Kestabilan kimia yang sangat baik, mampu menahan kakisan daripada pelbagai asid, bes, dan pelarut organik;
    Kekonduksian haba yang tinggi, pekali pengembangan haba yang rendah, rintangan haba terhadap hentaman, dan kestabilan suhu tinggi yang baik;
    Rintangan suhu tinggi 1700 darjah Celsius (di bawah suasana lengai), dengan prestasi antioksidan yang sangat baik;
    Kekakuan spesifik yang tinggi dan keseragaman terma yang sangat baik, tahan lentur dan ubah bentuk selepas penggunaan jangka panjang.

    Pengenalan Syarikat

    Shandong Huayi Tech New Materials Co., Ltd. terletak di China dan ditubuhkan pada 2018. Syarikat itu komited terhadap pembangunan dan penggunaan bahan seperti silikon karbida dan boron karbida dalam pelbagai industri.

    Produk utama syarikat adalah serbuk silikon karbida dan seramik, serbuk boron karbida dan seramik, filem seramik silikon karbida, bahan boron karbida tenaga nuklear, dan lain-lain. Produk ini digunakan secara meluas dalam industri tenaga nuklear, industri ketenteraan, perlindungan alam sekitar, tenaga baru, industri kimia dan bidang lain.

    Mengenai pengeluaran seramik, syarikat itu mempunyai dua proses: pensinteran tanpa tekanan dan pensinteran menekan panas. Produk dengan proses yang berbeza mempunyai kelebihan yang berbeza dan sesuai untuk senario yang berbeza. Seramik tersinter tanpa tekanan mempunyai keberkesanan kos yang tinggi dan sesuai untuk pengeluaran besar-besaran. Ia sesuai digunakan sebagai bahan kalis peluru, pengedap, muncung, bahan tahan haus dan tahan suhu, serta bahan kuasa nuklear biasa. Seramik yang dihasilkan oleh pensinteran menekan panas sesuai untuk pengeluaran berskala kecil, boleh dibuat kepada saiz yang lebih besar, dan sesuai untuk digunakan sebagai bahan teras kuasa nuklear, bahan semikonduktor, bahan sasaran dan bahan kalis peluru.

    Aplikasi Produk

    Ia adalah bahan pengganti yang sangat baik untuk logam, grafit, kaca, aloi suhu tinggi, dan seramik lain, dan boleh digunakan secara meluas dalam persekitaran yang sangat keras seperti bahan kimia halus, farmaseutikal, kejuruteraan alam sekitar, bahan bateri litium, seramik teknikal, dll. dengan kakisan tinggi, suhu tinggi, dan haus yang tinggi.