Химическая формула карбида бора B4C. Глянцевый черный кристалл с относительной плотностью 2,52, температурой плавления 2350 ℃ и температурой кипения выше 3500 ℃. Стабилен по химическим свойствам, нерастворим в воде и различных кислотах, растворим в расплавленных щелочах. Твердость ниже, чем у алмаза, но выше, чем у карбида кремния: твердость по шкале Мооса составляет 9,3. Обладает высокой способностью захвата тепловых нейтронов, износостойкий, обладает полупроводниковой проводимостью. Общее требование к качеству продукции – содержание B4C в абразивных частицах не должно быть менее 95 %, а атомно-энергетического – не менее 98 %. Карбид бора широко используется в процессах шлифовки и полировки драгоценных камней благодаря своим превосходным характеристикам. Сапфир является наиболее идеальным материалом подложки для практических применений, таких как полупроводниковые светодиоды GaN/Al2O3 (светодиоды), крупномасштабные интегральные схемы SOI и SOS, а также сверхпроводящие наноструктурированные тонкие пленки. В качестве светодиодной подложки сапфировые чипы требуют высокого уровня гладкости поверхности, которая должна быть ультрагладкой и неповрежденной. Качество устройства во многом зависит от технологии обработки поверхности подложки, а шлифовка является ключевым звеном сапфировой промышленности. Различные абразивы оказывают существенное влияние на шлифовку и химико-механическую полировку сапфира. В настоящее время карбид бора в качестве сапфирового абразива постепенно заменяет алмазный абразив, что значительно снижает стоимость процесса шлифования.
