Formula kimia boron karbida B4C. Hablur hitam berkilat dengan ketumpatan relatif 2.52, takat lebur 2350 ℃, dan takat didih melebihi 3500 ℃. Stabil dalam sifat kimia, tidak larut dalam air dan pelbagai asid, dan larut dalam alkali cair. Kekerasan lebih rendah daripada berlian tetapi lebih tinggi daripada silikon karbida, dengan kekerasan Mohs 9.3. Mempunyai keupayaan menangkap tinggi untuk neutron terma, tahan haus, dan mempunyai kekonduksian semikonduktor. Keperluan am untuk kualiti produk ialah kandungan B4C dalam zarah kasar tidak boleh kurang daripada 95%, dan gred kuasa nuklear tidak boleh kurang daripada 98%. Boron karbida digunakan secara meluas dalam proses pengisaran dan penggilapan batu permata kerana prestasinya yang sangat baik. Nilam ialah bahan substrat yang paling sesuai untuk aplikasi praktikal seperti semikonduktor GaN/Al2O3 diod pemancar cahaya (LED), litar bersepadu berskala besar SOI dan SOS, dan filem nipis berstruktur nano superkonduktor. Sebagai substrat LED, cip nilam memerlukan tahap kelancaran permukaan yang tinggi, yang mestilah ultra licin dan tidak rosak. Kualiti peranti bergantung terutamanya pada teknologi pemprosesan permukaan substrat, dan pengisaran adalah pautan utama dalam industri nilam. Pelelas yang berbeza mempunyai kesan yang ketara pada pengisaran nilam dan penggilap mekanikal kimia. Pada masa ini, boron karbida sebagai pelelas nilam telah secara beransur-ansur menggantikan pelelas berlian, sangat mengurangkan kos proses pengisaran.
